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　　中微公司的主打产品等离子体刻蚀设备和薄膜沉积设备是除光刻机以外的核心微观加工设备，具有制程步骤最多、工艺过程开发难度最高的特点。微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工工艺的变化。存储器件从平面2D到立体3D架构的转换，显著提升了等离子体刻蚀和薄膜沉积工艺的关键性，相应设备的需求量大大增加。同时，光刻机由于波长的限制，更小的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜沉积设备的组合“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性和市场空间持续提升，相关设备市场的年平均增长速度远高于其他种类的设备，为中微公司带来了强劲增长动力。此外，随着半导体工艺节点持续缩小，量检测设备需满足更高精度要求，推动该设备市场快速增长，已成为占半导体前道设备总市场约13%的第四大设备门类。量检测设备主要涵盖光学量检测设备和电子束量检测设备。中微公司于2024年新发起设立了超微公司，重点开发电子束量检测设备等，公司将通过多种方式扩大对多门类量检测设备的市场参与和产品覆盖。

　　预计未来五到十年，中微公司将通过自主研发以及携手行业合作伙伴，覆盖集成电路关键领域超过60%的设备市场。近年来泛半导体产业的发展也非常迅猛。三五族化合物半导体器件，如照明和显示屏所用的发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等市场发展极快。这些器件所需的MOCVD设备是重要的关键设备。与集成电路需要很多种设备、上千步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要靠MOCVD设备实现，而且该设备的大部分市场集中在中国大陆。中微公司瞄准世界科技前沿，持续践行三维发展战略，聚焦集成电路关键设备领域，扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，推进公司实现高速、稳定、健康、安全发展。公司坚持以市场和客户需求为导向，积极应对复杂形势，继续加大研发投入和业务开拓力度，推动以研发创新为驱动的高质量增长策略，抓住重点客户扩产投资机会，推进订制化、精细化生产模式，公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备、MOCVD设备等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取得了较大的突破和进展，产品不断获得海内外客户的认可，为公司持续健康发展提供了有力支撑。公司同时兼顾外延性发展，在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极探索布局包括健康领域在内的新业绩增长点，子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的标的公司在各自细分领域取得了卓有成效的进展。

　　公司CCP刻蚀设备中双反应台机型PrimoD-RIE、PrimoAD-RIE、PrimoAD-RIE-e和单反应台机型PrimoHD-RIE等产品已广泛应用于国内外一线客户的生产线，用于高精度高选择比刻蚀e工艺的单反应台产品PrimoHD-RIE和用于超高深宽比刻蚀工艺的PrimoUD-RIE持续获得客户订e单，其中PrimoHD-RIE在2025年上半年累计装机超过120个反应台，PrimoUD-RIE累计装机接近200个反应台。截至2025年上半年，CCP刻蚀设备累计装机量超过4500个反应台，较2024年同期增长超过900个反应台。其中，双反应台刻蚀产品凭借独特设计，为成熟和先进技术节点的客户提供了均衡的解决方案，持续获得批量订单，截至2025年上半年累计装机突破了3300个反应台。单反应台产品近年来在关键工艺取得持续突破，截至2025年上半年累计装机接近1200个反应台。公司的刻蚀产品已经对28纳米以上的绝大部分CCP刻蚀应用和28纳米及以下的大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖。针对28纳米及以下的逻辑器件生产中广泛采用的一体化大马士革刻蚀工艺，公司开发的可调节电极间距的CCP刻蚀机PrimoSD-RIE已进入国内领先的逻辑芯片制造客户端进行验证，目前电性验证已经通过，并且在多个客户通过了器件可靠性的测试。PrimoSD-RIE也已经进入28纳米以下的研发线，就多项关键刻蚀工艺开展现场研发工作。针对28纳米以下和存储器件工艺中广泛用到的晶边刻蚀，公司推出了12英寸晶边刻蚀设备PrimoHalona。该设备采用具有中微公司特有的双反应台设计，可配置最多三个双反应台，同时处理六片晶圆，在保证较低生产成本的同时，实现更高的产出密度和生产效率。此外，设备腔体搭载Quadra-arm机械臂，其操控精准灵活，腔体内部采用抗腐蚀材料设计，可抵抗卤素气体腐蚀，提供了更强的设备稳定性与耐久性。在存储器件制造工艺中，公司的产品已覆盖存储器件制造中的绝大部分应用。公司针对超高深宽比刻蚀工艺（深宽比60:1）自主开发的PrimoUD-RIE，该设备具有超大功率的60MHz和400kHz射频馈入，并且配备了国际首创的主动边缘阻抗调节系统，该系统具有完全自主的知识产权，目前已大规模应用于先进的存储器件生产线。PrimoUD-RIE在大规模量产场景下的可靠性持续得到验证，各项量产指标也在不断提升。针对超高深宽比工艺的未来发展趋势，公司积极布局超低温刻蚀技术，在超低温静电吸盘技术和新型刻蚀气体研究上投入大量资源，以满足超高深宽比刻蚀技术迭代的需求。

　　（图：PRISMOUniMaxMOCVD设备）公司于2023年底付运Micro-LED应用的设备样机PreciomoUdx至国内领先客户开展生产验证。报告期内样机验证顺利，满足客户小批量生产要求，并已取得客户重复订单。（图：PreciomoUdxMOCVD设备）公司紧跟市场发展趋势，积极拓展MOCVD设备的应用范围；已启动用于红黄光LED的MOCVD设备开发，目前开发进展顺利，实验室测试已实现优良的波长均匀性。报告期内，公司已付运首台红黄光LED专用的MOCVD设备至国内领先客户开展生产验证。随着电动汽车、消费电子、人工智能、风力与光伏储能和轨道交通等应用的快速发展，市场对氮化镓和碳化硅功率器件的需求呈现爆发式增长。公司在氮化镓LED外延装备的领先优势基础上，进一步研发了面向硅基氮化镓异质外延功率器件的专用设备。公司于2022年推出了用于氮化镓功率器件生产应用的MOCVD设备PRISMOPD5，目前已交付客户进行生产验证，并取得了重备性能，降低客户生产成本，持续提升公司在氮化镓基MOCVD设备领域的竞争力，并尽快付运样机至客户端进行验证。

　　中微公司在现有的金属CVD和ALD设备研发基础上，同步推进多款CVD和ALD设备开发，增加薄膜设备的覆盖率和市场占有率。公司的薄膜沉积设备采用独特的双腔设计，每个腔体可独立进行工艺调节，保证产品性能的同时，大幅提高了生产效率，降低了材料成本。设备采用中微独立自主的IP设计，确保了更优化的产品性能，也保障了产品未来的可持续迭代升级。公司EPI设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经开发出具有自主知识产权及创新的平台，预处理和外延反应腔,目前公司减压EPI设备已顺利付运成熟制程客户进行量产验证，并已经进入先进制程工艺验证和客户验证阶段；新一代高选择比预清洁腔体满足先进工艺的需求，已顺利付运先进制程客户端，进入工艺验证和客户验证阶段；常压外延设备现已完成开发，进入工艺调试阶段；常压EPI设备已完成开发，进入工艺验证阶段。

　　公司视员工为最宝贵的资产，致力于为员工提供广阔的职业发展空间，构建专业线、管理线发展双通道，并设计了针对不同发展阶段，包括从入职、成长到成熟，形式多样的职业规划，拓展人才发展渠道，无论普通员工，还是高管团队均能获得充分的发展机会。同时，公司践行“五个十大”的公司文化，打造赋能型、人性化、全员参与式的学习氛围，不断激发员工活力，助力员工实现自身职业理想，与企业共同成长发展。报告期内，公司进一步拓宽人才吸引渠道，从国内外吸引了行业经验丰富的管理及技术人才，并从知名院校中挑选了一批优秀的毕业生，公司2025年上半年新入职员工278人。公司注重激发组织和员工活力，组织开展多项深入的专题培训、学习交流，涵盖工程技术、战略商务、运营管理、财会金融、人工智能和人才发展六大学习版块，有力促进培养组织需要的技能，提升组织及人员竞争力，建立学习型组织文化氛围。公司持续优化人才绩效评估体系及人才晋升机制，使得优势资源更进一步向高绩效员工倾斜。2025年6月10日，公司向2458名激励对象授予1000万股限制性股票。公司持续优化人才梯队，为业务可持续发展提供人才保障。